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碳化硅晶体生长炉的制作方法名称：碳化硅晶体生长炉的制作方法技术领域：本发明涉及生长炉技术领域，特别涉及一种碳化硅晶体生长炉。背景技术：半导体集成电路单晶具有宽禁带，闻导热，闻电。